|
E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/14201
|
Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial
| Arxiu |
Descripció |
Mida | Format |
| Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells.pdf | | 629.98 kB | Adobe PDF |  |
|
| Citació: | Ortega, P. [et al.]. Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells. "Progress in photovoltaics", 15 Abril 2011, núm. 2011, p. 1-8. |
| Títol: | Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells |
| Autor: | Alcubilla González, Ramón ; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael ; Orpella García, Alberto ; Martín García, Isidro ; Colina, M.; López Rodríguez, Gema ; Voz Sánchez, Cristóbal ; Sánchez, Isabel; Molpeceres, Carlos |
| Data: | 15-abr-2011 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | In this work we study the optimization of laser-fired contact (LFC) processing parameters, namely laser power and number of pulses, based on the electrical resistance measurement of an aluminum single LFC point. LFC process has been made through four passivation layers that are typically used in c-Si and mc-Si solar cell fabrication: thermally grown silicon oxide (SiO2), deposited phosphorus-doped amorphous silicon carbide (a-SiCx/H(n)), aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (SiNx/H) films. Values for the LFC resistance normalized by the laser spot area in the range of 0.65–3 mΩ cm2 have been obtained. |
| ISSN: | 1062-7995 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/14201 |
| Versió de l'editor: | 10.1002/pip.1115 |
| Apareix a les col·leccions: | Altres. Enviament des de DRAC Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|