DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/14201

Ítem no disponible en accés obert per política de l'editorial

Arxiu Descripció MidaFormat
Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells.pdf629,98 kBAdobe PDF Accés restringit

Citació: Ortega, P. [et al.]. Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells. "Progress in photovoltaics", 15 Abril 2011, núm. 2011, p. 1-8.
Títol: Laser-fired contact optimization in c-Si solar cells
Autor: Alcubilla González, Ramón Veure Producció científica UPC; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael Veure Producció científica UPC; Orpella García, Alberto Veure Producció científica UPC; Martín García, Isidro Veure Producció científica UPC; Colina, M.; López Rodríguez, Gema Veure Producció científica UPC; Voz Sánchez, Cristóbal Veure Producció científica UPC; Sánchez, Isabel; Molpeceres, Carlos
Data: 15-abr-2011
Tipus de document: Article
Resum: In this work we study the optimization of laser-fired contact (LFC) processing parameters, namely laser power and number of pulses, based on the electrical resistance measurement of an aluminum single LFC point. LFC process has been made through four passivation layers that are typically used in c-Si and mc-Si solar cell fabrication: thermally grown silicon oxide (SiO2), deposited phosphorus-doped amorphous silicon carbide (a-SiCx/H(n)), aluminum oxide (Al2O3) and silicon nitride (SiNx/H) films. Values for the LFC resistance normalized by the laser spot area in the range of 0.65–3 mΩ cm2 have been obtained.
ISSN: 1062-7995
URI: http://hdl.handle.net/2117/14201
DOI: 10.1002/pip.1115
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius