DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/13917

Arxiu Descripció MidaFormat
8602786.pdf185,87 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Berbel, N. [et al.]. Experimental verification of the usefulness of the n-th power law MOSFET model under hot carrier wearout. "Microelectronics reliability", 16 Setembre 2011, vol. Volume 51, núm. Issue 9 - 11, p. 1564-1567.
Títol: Experimental verification of the usefulness of the n-th power law MOSFET model under hot carrier wearout
Autor: Berbel Artal, Néstor Veure Producció científica UPC; Fernández García, Raúl Veure Producció científica UPC; Gil Galí, Ignacio Veure Producció científica UPC; Li, B.; Boyer, A.; BenDhia, S.
Data: 16-set-2011
Tipus de document: Article
Resum: In this paper the usefulness of the nth power law MOSFET model under Hot Carrier Injection (HCI) wearout has been experimentally demonstrated. In order to do that, three types of nFET transistors have been analyzed under different HCI conditions and the nth power law MOSFET model has been extracted for each sample. The results show that the model can reproduce the MOSFET behavior under HCI wearout mechanism. Therefore, the impact of HCI on circuits can be analyzed by using the nth power law MOSFET model.
ISSN: 0026-2714
URI: http://hdl.handle.net/2117/13917
DOI: 10.1016/j.microrel.2011.06.041
Versió de l'editor: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S002627141100240X
Apareix a les col·leccions:Altres. Enviament des de DRAC
TIEG - Grup d'Electrònica Industrial Terrassa. Articles de revista
Departament d'Enginyeria Electrònica. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius