Third harmonic generation at 223 nm in the metallic regime of GaP
Visualitza/Obre
Cita com:
hdl:2117/13277
Tipus de documentArticle
Data publicació2011-03-14
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
We demonstrate second and third harmonic generation from a GaP substrate 500 μm thick. The second harmonic field is tuned at the absorption resonance at 335 nm, and the third harmonic signal is tuned at 223 nm, in a range where the dielectric function is negative. These results show that a phase locking mechanism that triggers transparency at the harmonic wavelengths persists regardless of the dispersive properties of the medium, and that the fields propagate hundreds of microns without being absorbed even when the harmonics are tuned to portions of the spectrum that display
metallic behavior.
CitacióRoppo, V. [et al.]. Third harmonic generation at 223 nm in the metallic regime of GaP. "Applied physics letters", 14 Març 2011, vol. 98, núm. 11, p. 1-3.
ISSN0003-6951
Versió de l'editorhttp://apl.aip.org/resource/1/applab/v98/i11/p111105_s1
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
ApplPhysLett_98_111105.pdf | 941,6Kb | Visualitza/Obre |