Optical measurements on GaAs(Ti) thin films sputtered on GaAs
Visualitza/Obre
paper (1,164Mb) (Accés restringit)
Sol·licita una còpia a l'autor
Què és aquest botó?
Aquest botó permet demanar una còpia d'un document restringit a l'autor. Es mostra quan:
- Disposem del correu electrònic de l'autor
- El document té una mida inferior a 20 Mb
- Es tracta d'un document d'accés restringit per decisió de l'autor o d'un document d'accés restringit per política de l'editorial
Cita com:
hdl:2117/12982
Tipus de documentText en actes de congrés
Data publicació2011
Condicions d'accésAccés restringit per política de l'editorial
Llevat que s'hi indiqui el contrari, els
continguts d'aquesta obra estan subjectes a la llicència de Creative Commons
:
Reconeixement-NoComercial-SenseObraDerivada 3.0 Espanya
Abstract
Some sputtering processes of GaAs(Ti) onto c-GaAs have been carried out in order to obtain thin films as candidates to be intermediate band photovoltaic materials. This work presents the results obtained in the study of the absorptance, from transmittance and reflectance responses, in samples obtained at different conditions of temperature and power during the sputtering deposition.
CitacióBoronat, A.; Silvestre, S.; Castañer, L. Optical measurements on GaAs(Ti) thin films sputtered on GaAs. A: Spanish Conference on Electron Devices. "8th Spanish Conference on Electron Devices". Palma de Mallorca: 2011, p. 1-3.
ISBN978-142447863-7
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
05744250.pdf | paper | 1,164Mb | Accés restringit |