|
E-prints UPC >
Altres >
Enviament des de DRAC >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/11977
|
| Citació: | Ortega, P. [et al.]. Crystalline silicon solar cells beyond 20% efficiency. A: Spanish Conference on Electron Devices. "Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011". Palma de Mallorca: IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2011, p. 1-4. |
| Títol: | Crystalline silicon solar cells beyond 20% efficiency |
| Autor: | Alcubilla González, Ramón  ; García Molina, Francisco Miguel ; Ortega Villasclaras, Pablo Rafael ; López Rodríguez, Gema ; Orpella García, Alberto ; Martín García, Isidro ; Colina, M.; Voz Sánchez, Cristóbal ; Bermejo Broto, Sandra ; Puigdollers i González, Joaquim |
| Editorial: | IEEE Press. Institute of Electrical and Electronics Engineers |
| Data: | 2011 |
| Tipus de document: | Conference report |
| Resum: | —This paper describes a fabrication process to
obtain high efficiency c-Si cells (> 20%) based on the Laser
Fired Contact Passivated Emitter Rear Cell (LFC-PERC)
concept. Photovoltaic efficiencies beyond 20% have been
achieved using thermal SiO2 as a rear passivation layer on
2 cm x 2 cm solar cells with 0.45 cm Fz c-Si substrates.
Efficiencies up to 22% are expected for material
resistivities in the 0.4–5 cm using an optimized rear
contact grid |
| ISBN: | 978-1-4244-7865-1/11 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/11977 |
| Apareix a les col·leccions: | Altres. Enviament des de DRAC
Departament d'Enginyeria Electrònica. Ponències/Comunicacions de congressos
MNT - Grup de Recerca en Micro i Nanotecnologies. Ponències/Comunicacions de congressos
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
