Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source
Visualitza/Obre
Tipus de documentArticle
Data publicació2003-07-31
EditorJOHN WILEY & SONS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
This paper presents a method to characterize the excess noise ratio (ENR) of an unmatched avalanche noise diode for application as an on-wafer noise source. It is based on the determination of a broadband device noise circuit-model from its measured reflection coefficient and noise powers. Measured ENR is used to calibrated a noise receiver up to 40 GHz.
CitacióMaya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source. Microwave and optical technology letters, 2003, vol. 38, núm. 2, p. 89-92.
ISSN0895-2477
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
extraction avalanche diode104535657.pdf | 137,9Kb | Visualitza/Obre |