|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/1120
|
| Citació: | Maya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source. Microwave and optical technology letters, 2003, vol. 38, núm. 2, p. 89-92. |
| Títol: | Extraction of an avalanche diode noise model for its application as on-wafer noise source |
| Autor: | Maya Sánchez, Mª del Carmen ; Lázaro Guillén, Antoni ; Pradell i Cara, Lluís  |
| Editorial: | JOHN WILEY & SONS INC |
| Data: | 2003 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | This paper presents a method to characterize the excess noise ratio (ENR) of an unmatched avalanche noise diode for application as an on-wafer noise source. It is based on the determination of a broadband device noise circuit-model from its measured reflection coefficient and noise powers. Measured ENR is used to calibrated a noise receiver up to 40 GHz. |
| ISSN: | 0895-2477 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/1120 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|