DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/1118

Arxiu Descripció MidaFormat
method simultaneously extract112598795.pdf350,74 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Maya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. A method to simultaneously extract the small-signal equivalent circuit and noise parameters of heterojunction bipolar transistors. Microwave and optical technology letters, 2006, vol. 48, núm. 7, p. 1372-1379.
Títol: A Method to Simultaneously Extract the Small-Signal Equivalent Circuit and Noise Parameters of Heterojunction Bipolar Transistors
Autor: Maya Sánchez, Mª del Carmen Veure Producció científica UPC; Lázaro Guillén, Antoni Veure Producció científica UPC; Pradell i Cara, Lluís Veure Producció científica UPC
Editorial: JOHN WILEY & SONS INC
Data: 2006
Tipus de document: Article
Resum: A method to extract the elements of the small-signal equivalent circuit and the noise parameters (NPs) of heterojunction bipolar transistors (HBTs) is presented. The extraction is done by simultaneous fitting of the measured S-parameters, noise figure (for a well-matched impedance), and NPs (estimated using the so-called F50 method). An additional error term, given by the root square sum of the differences between the NPs estimated from the F50 method and the NPs directly computed using the Hawkins model, is considered in order to avoid nonphysical results in the extraction of the intrinsic noise sources. To obtain the initial values of the equivalent-circuit elements, analytical expressions are applied under a number of bias conditions, namely, reverse bias, forward bias, and active bias. Experimental verification of the extraction of the equivalent-circuit elements and NPs of an HBT, up to 8 GHz, are presented, and the NPs are compared to those measured with an independent (tuner-based) method. The behavior of Fmin, extracted using the proposed method, as a function of the HBT collector current, is also presented.
ISSN: 0895-2477
URI: http://hdl.handle.net/2117/1118
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius