|
|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/1117
|
| Citació: | Fabrega, L.; Rubi, R.; Fontcuberta, J.; Sanchez, F.; Ferrater, C.; Garcia-Cuenca, M. V.; Varela, M.; Collado, C.; Mateu, J.; Menendez, O.; O'Callaghan, J. M. Reduced microwave losses YBa[sub 2]Cu[sub 3]O[sub 7 - delta] thin films on electro-optic LiNbO[sub 3] crystals. Journal of applied physics, 2002, vol. 92, núm. 10, p. 6346-6348. |
| Títol: | Reduced microwave losses YBa[sub 2]Cu[sub 3]O[sub 7 - delta] thin films on electro-optic LiNbO[sub 3] crystals |
| Autor: | Fàbrega i Soler, Lluís; Rubí, R.; Fontcuberta, Josep; Sánchez, F.; Ferrater Martorell, Cesar; García-Cuenca Varona, Victoria; Varela, M.; Collado Gómez, Juan Carlos  ; Mateu Mateu, Jordi ; Menéndez Nadal, Óscar; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel |
| Editorial: | AMER INST PHYSICS |
| Data: | 2002 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | We report on the growth of epitaxial YBa2Cu3O7 thin films on X-cut LiNbO3 single crystals. The use of double CeO2/YSZ buffer layers allows a single in-plane orientation of YBa2Cu3O7, and results in superior superconducting properties. In particular, surface resistance Rs values of 1.4 m have been measured at 8 GHz and 65 K. The attainment of such low values of Rs constitutes a key step toward the incorporation of high Tc materials as electrodes in photonic and acoustic devices. |
| ISSN: | 0021-8979 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/1117 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
