|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/1106
|
| Citació: | Lázaro, A.; Maya, M. C.; Pradell, L. Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model. Microwave and optical technology letters, 2003, vol. 39, núm. 4, p. 317-319. |
| Títol: | Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model |
| Autor: | Lázaro Guillén, Antoni  ; Maya Sánchez, Mª del Carmen ; Pradell i Cara, Lluís |
| Editorial: | JOHN WILEY & SONS INC |
| Data: | 2003 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | The bias-dependence of microwave-FET intrinsic noise sources in their hybrid configuration is theoretically determined, using a new quasi-2D (Q-2D) physical model based on Thornber's current equation [8]. It is shown that the correlation coefficient cannot be neglected, in agreement with empirical work in the literature. Experimental verification using noise-parameter measurements up to 26 GHz is presented. |
| ISSN: | 0895-2477 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/1106 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
|
| Comparteix: |
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
