Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model
Visualitza/Obre
Estadístiques de LA Referencia / Recolecta
Inclou dades d'ús des de 2022
Cita com:
hdl:2117/1106
Tipus de documentArticle
Data publicació2003-11-30
EditorJOHN WILEY & SONS INC
Condicions d'accésAccés obert
Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i
industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva
reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets
Abstract
The bias-dependence of microwave-FET intrinsic noise sources in their hybrid configuration is theoretically determined, using a new quasi-2D (Q-2D) physical model based on Thornber's current equation [8]. It is shown that the correlation coefficient cannot be neglected, in agreement with empirical work in the literature. Experimental verification using noise-parameter measurements up to 26 GHz is presented.
CitacióLázaro, A.; Maya, M. C.; Pradell, L. Bias-dependence of FET intrinsic noise sources, determined with a quasi-2D model. Microwave and optical technology letters, 2003, vol. 39, núm. 4, p. 317-319.
ISSN0895-2477
Fitxers | Descripció | Mida | Format | Visualitza |
---|---|---|---|---|
bias-dependence fet105056863.pdf | 96,86Kb | Visualitza/Obre |