|
E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >
Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem:
http://hdl.handle.net/2117/1105
|
| Citació: | Maya, M. C.; Lázaro, A.; Pradell, L. Noise model of a reverse-biased cold-FET applied to the characterization of its ENR. Microwave and optical technology letters, 2004, vol. 40, núm. 4, p. 326-330. |
| Títol: | Noise model of a reverse-biased Cold-FET applied to the characterization of its ENR |
| Autor: | Maya Sánchez, Mª del Carmen 
Lázaro Guillén, Antoni
Pradell i Cara, Lluís |
| Editorial: | JOHN WILEY & SONS INC |
| Data: | 2003 |
| Tipus de document: | Article |
| Resum: | This paper presents a broadband-noise circuit model for a cold-FET (Vds = 0 V) with a reverse-biased gate. The noise model includes two intrinsic uncorrelated noise-current sources whose spectral densities are determined from measurement of the device's S parameters and noise powers. The model is used to characterize the device's excess noise ratio (ENR) for application to full receiver-noise calibration. Experimental results up to 40 GHz are given. |
| ISSN: | 0895-2477 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2117/1105 |
| Apareix a les col·leccions: | Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
|
Queda prohibida la reproducció, transformació, distribució i comunicació pública d'aquesta obra. Es permet, en tot cas, la reproducció per a ús privat sempre i quan la còpia que se'n faci no sigui objecte d'utilització col·lectiva ni lucrativa (art. 31.2 del Reial Decret Legislatiu 1/1996, de 12 d'abril, pel qual s'aprova el Text Refós de la Llei de Propietat Intel·lectual, http://bibliotecnica.upc.es/sepi/legislacio.asp).
Per a qualsevol ús que es vulgui fer diferent al permès, dirigiu-vos a: sepi@upc.edu
|
Català
Castellano
English
