DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/1081

Arxiu Descripció MidaFormat
analysis and simulation of the effects 01406084.pdf737,97 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Collado, C.; Mateu, J.; O'Callaghan, J.M. Analysis and simulation of the effects of distributed nonlinearities in microwave superconducting devices. IEEE Transactions on applied superconductivity, 2005, vol. 15, núm. 1, p. 26-39.
Títol: Analysis and Simulation of the Effects of Distributed Nonlinearities in Microwave Superconducting Devices
Autor: Collado Gómez, Juan Carlos Veure Producció científica UPC; Mateu Mateu, Jordi Veure Producció científica UPC; O'Callaghan Castellà, Juan Manuel Veure Producció científica UPC
Editorial: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Data: 2003
Tipus de document: Article
Resum: This paper presents a comprehensive study of microwave nonlinearities in superconductors, with an emphasis on intermodulation distortion and third-harmonic generation. It contains the analysis of various resonant and nonresonant test devices and its validation using numerical simulations based on harmonic balance (HB). The HB simulations made on test devices show that the closed-form equations for intermodulation and third-harmonic generation are only valid at low power levels. The paper also contains examples of application of HB to illustrate that this technique is useful to simulate superconductive devices other than simple test devices, and that the validity of the simulations is not restricted to low drive power levels. Most of the analyses and simulations of this paper are based on electrical parameters that describe the nonlinearities in the superconducting material. These parameters are compatible with many existing models of microwave nonlinearities in superconductors. We discuss the particulars on how to relate these electrical parameters with one of the existing models that postulates that the nonlinear effects are due to a dependence of the penetration depth on the current density in the superconductor.
ISSN: 1051-8223
URI: http://hdl.handle.net/2117/1081
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius