DSpace DSpace UPC
 Català   Castellano   English  

E-prints UPC >
Enginyeria electrònica i telecomunicacions >
RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones >
Articles de revista >

Empreu aquest identificador per citar o enllaçar aquest ítem: http://hdl.handle.net/2117/1024

Arxiu Descripció MidaFormat
Study of intermodulation01603859.pdf866,16 kBAdobe PDFThumbnail
Veure/Obrir

Citació: Girbau, D.; Otegi, N.; Pradell, L.; Lázaro, A. Study of intermodulation in RF MEMS variable capacitors. IEEE Transactions on microwave theory and techniques, 2006, vol. 54, núm. 3, p. 1120-1130.
Títol: Study of intermodulation in RF MEMS variable capacitors
Autor: Girbau Sala, David Veure Producció científica UPC; Otegi Urdanpilleta, Nerea; Pradell i Cara, Lluís Veure Producció científica UPC; Lázaro Guillén, Antoni Veure Producció científica UPC
Editorial: IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Data: 2005
Tipus de document: Article
Resum: This paper provides a rigorous study of the causes and physical origins of intermodulation distortion (IMD) in RF microelectromechanical systems (MEMS) capacitors, its analytical dependence on the MEMS device design parameters, and its effects in RF systems. It is shown that not only third-order products exist, but also fifth order and higher. The high-order terms are mainly originated by the nonlinear membrane displacement versus applied voltage and, in the case considered in this study, with an additional contribution from the nonlinear dependence of the reflection coefficient phase on the displacement. It is also shown that the displacement nonlinear behavior also contributes to the total mean position of the membrane. In order to study these effects in depth, an analytical frequency-dependent IMD model for RF MEMS based on a mobile membrane is proposed and particularized to the case of a MEMS varactor-a device for which IMD can be significant. The model is validated, up to the fifth order, theoretically (using harmonic balance) and empirically (the IMD of a MEMS varactor is measured). To this end, a two-tone IMD reflection measurement system for MEMS is proposed.
ISSN: 0018-9480
URI: http://hdl.handle.net/2117/1024
Apareix a les col·leccions:RF&MW - Grup de Recerca de Sistemes, Dispositius i Materials de RF i Microones. Articles de revista
Departament de Teoria del Senyal i Comunicacions. Articles de revista
Comparteix:


Stats Mostra les estadístiques d'aquest ítem

SFX Query

Tots els drets reservats. Aquesta obra està protegida pels drets de propietat intel·lectual i industrial corresponents. Sense perjudici de les exempcions legals existents, queda prohibida la seva reproducció, distribució, comunicació pública o transformació sense l'autorització del titular dels drets.

Per a qualsevol ús que se'n vulgui fer no previst a la llei, dirigiu-vos a: sepi.bupc@upc.edu

 

Valid XHTML 1.0! Programari DSpace Copyright © 2002-2004 MIT and Hewlett-Packard Comentaris
Universitat Politècnica de Catalunya. Servei de Biblioteques, Publicacions i Arxius