Exploració per autor "Orpella García, Alberto"Més informacióMés informació

Ara es mostren els items 84-84 de 84

    • Very low surface recombination velocity of crystalline silicon passivated by phosphorus-doped a-SiCxNy:H(n) alloys 

      Ferre, R; Orpella García, Alberto; Muñoz Cervantes, Delfina; Martín García, Isidro; Recart, F; Voz Sánchez, Cristóbal; Puigdollers i González, Joaquim; Cabarrocas, Roca I P; Alcubilla González, Ramón (2008-03)
      Article
      Accés restringit per política de l'editorial
      Hydrogenated and phosphorus-doped amorphous silicon carbonitride films (a-SiCxNy:H(n)) were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on crystalline silicon surface in order to explore surface passivation ...